特許
J-GLOBAL ID：200903073389779400
スタティック型RAM
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-046320
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235184
出願日： 1994年02月21日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：
【要約】【目的】 簡単な構成により高速化を実現したマルチ・ポートのスタティック型RAMを提供する。【構成】 スタティック型記憶部の一対の入出力ノードに書き込み用の伝送ゲートMOSFETと、読み出し用の伝送ゲートMOSFETを設けけなるメモリセルを一対の書き込み用と読み出し用の相補データ線の交点にマトリックス配置するとともに、上記書き込み用の相補データ線又は読み出し用の相補データ線を規則的に交差させて書き込み用の相補データ線から読み出し用の相補データ線に同様なカップリングノイズが伝えられるようにする。【効果】 同じ相補データ線に接続されたメモリセルに対して書き込みと読み出しを同時に行った場合でも、読み出し用の相補データ線には書き込み用の相補データ線からのカップリングノイズが半分づつコモンモードでのるために差動センスアンプにより相殺させることができ、読み出し動作の高速化が実現できる。
請求項（抜粋）：
スタティック型記憶部の一対の入出力ノードと書き込み用の相補データ線との間に設けられ、ゲートが書き込み用ワード線に接続された書き込み用伝送ゲートMOSFETと、上記一対の入出力ノードと読み出し用の相補データ線との間に設けられ、ゲートが読み出し用ワード線に接続された読み出し用伝送ゲートMOSFETとからなるメモリセルが上記一対の書き込み用と読み出し用ワード線と、上記一対の書き込み用と読み出し用の相補データ線の交点にマトリックス配置されてなるメモリアレイを備え、上記書き込み用の相補データ線又は読み出し用の相補データ線を規則的に交差させて書き込み用の相補データ線から読み出し用の相補データ線に同様なカップリングノイズが伝えられるようにしてなることを特徴とするスタティック型RAM。
IPC (3件)：
G11C 11/41
, H01L 21/8244
, H01L 27/11
G11C 11/34 345
, H01L 27/10 381
