特許
J-GLOBAL ID：200903073393233810
不揮発性半導体メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-137281
公開番号（公開出願番号）：特開平5-334885
出願日： 1992年05月28日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【目的】この発明の目的は、従来よりも消去時間を短縮でき、動作速度を高速化することが可能なフラッシュEEPROMを提供することである。【構成】行デコーダ11の全ての出力を非選択状態とし、列デコーダ12の全ての出力を例えば選択状態として各メモリセル10に流れる電流の総和をセンスアンプ32によって検出し、この検出した電流が所定値になった場合、データの消去終了としている。したがって、複数のメモリセル10に対して同時にチェック読出しを行っているため、従来に比べてデータの消去時間を短縮することができる。
請求項（抜粋）：
浮遊ゲートを有するMOSトランジスタをメモリセルとし、このメモリセルが行および列方向にマトリックス状に配列されたメモリセルアレイと、このメモリセルアレイの行を選択する行デコーダと、前記メモリセルアレイの列を選択する列デコーダと、前記メモリセルに接続された負荷回路と、前記行デコーダの全ての出力を非選択状態とし、前記列デコーダの少なくとも1つ以上の出力を選択状態とし、前記負荷回路と前記メモリセルとの接続点の電位を検出し、前記浮遊ゲート中の電子の状態をチェックするチェック手段(32)と、を具備したことを特徴とする不揮発性半導体メモリ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 309 C
, H01L 27/10 434
