特許
J-GLOBAL ID：200903073394712895
半導体装置およびその製造方法ならびに半導体装置が実装されたモジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-166688
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353716
出願日： 1999年06月14日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：
【要約】【課題】 高い接続信頼性を有する半導体装置およびその製造方法ならびに高い接続信頼性を有する半導体装置が実装されたモジュールを提供する。【解決手段】 複数の電極が配列された主面を有する半導体素子と、半導体素子の主面上に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成された複数の外部端子と、複数の電極の内の少なくとも1つと複数の外部端子の少なくとも1つとに、それぞれ電気的に接続された複数の配線とを有し、複数の外部端子の内の前記主面の最外周にある外部端子と、最外周にある外部端子に隣接する外部端子との間に位置する絶縁層の少なくとも一部に溝が形成されている。
請求項（抜粋）：
複数の電極が配列された主面を有する半導体素子と、前記半導体素子の前記主面上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された複数の外部端子と、前記複数の電極の内の少なくとも1つと前記複数の外部端子の少なくとも1つとに、それぞれ電気的に接続された複数の配線とを有し、前記複数の外部端子の内の前記主面の最外周にある外部端子と、最外周にある外部端子に隣接する外部端子との間に位置する前記絶縁層の少なくとも一部に溝が形成されている半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/92 602 K
, H01L 23/12 L
