特許
J-GLOBAL ID：200903073397936999
化合物半導体の結晶成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-209063
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190474
出願日： 1992年08月05日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、化合物半導体結晶の成長方法の改良に関し、微量の原料ガスの結晶表面への吸着を正確に制御する化合物半導体の結晶成長方法を提供することを目的とする。【構成】 結晶成長させる原料ガス(III 族元素原料ガス、V族元素原料ガス、不純物元素原料ガス)と同時に、結晶成長させる原料ガスと競争吸着し、且つ、それ自体は原料ガスによる成長条件のもとでは化学反応しないような制御ガスを結晶表面に供給して、原料ガスのモル分率を制御するように構成する。
請求項（抜粋）：
結晶成長させる化合物半導体の原料ガスと共に、制御ガスを所定の成長条件下で基板表面へ供給して、該制御ガスの供給量を制御することにより該原料ガスの該基板表面への吸着確率を制御する工程を有し、該制御ガスは、該基板表面にて該原料ガスと競争吸着すると共に、該所定の条件下では化学反応せず、該基板表面に継続的に堆積しないものであり、該競争吸着は、該原料ガスと該制御ガスとが競争し合って該基板表面に吸着する現象であることを特徴とする化合物半導体の結晶成長方法。
IPC (2件)：
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