特許
J-GLOBAL ID：200903073399607518
赤外線検出素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 長七 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-219117
公開番号（公開出願番号）：特開平9-061234
出願日： 1995年08月28日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【課題】高感度で且つ機械的強度が強い赤外線検出素子を提供する。【解決手段】 夫々酸化シリコンよりなる第1の誘電体層3と第2の誘電体層4とで覆われたアモルファス炭化シリコンよりなる赤外線検出手段2が、第1の誘電体層3よりなる支持部3b,3cと第2の誘電体層4よりなる支持部4b,4cとによって、シリコンなどの半導体基板またはガラスなどの絶縁基板よりなる支持基板1の上方に空洞9を介して支持されている。赤外線検出手段2の下面を覆う第1の誘電体層3の下面には、略全面に亙って厚み方向に複数の凹部5(凹凸)が形成されている。
請求項（抜粋）：
赤外線を検出する赤外線検出手段と、前記赤外線検出手段の全面または下面を覆う誘電体層と、前記誘電体層を支持する支持基板とを備え、前記誘電体層の上面あるいは下面の少なくとも一方の面の略全面に亙って複数の凹凸が形成されて成ることを特徴とする赤外線検出素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01J 1/02 C
, H01L 31/02 A
