特許
J-GLOBAL ID：200903073410060259
単層の多結晶シリコン層を有するフラッシュE▲上2▼PROMセル
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 陽一 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-502413
公開番号（公開出願番号）：特表平8-506693
出願日： 1993年06月18日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：
【要約】フラッシュE2PROMセル(130)が開示されており、このセルは、単層多結晶シリコン層(132)を有している。この多結晶シリコン層の一部は、このセルのトランジスタのフローティングゲート(160)を形成し、また一部はフローティングゲートとつながったコンデンサのひとつの電極(168)を形成し、さらに一部は、このセルの第2のトランジスタのゲート(156)を形成している。
請求項（抜粋）：
E2PROMセルであって、 このセルが第1の導電型を有する基板を有し、 第2の導電型を有する第1領域と第2領域とが前記基板の表面に配置され、かつ前記基板中に延在し、 前記第1領域及び第2領域が、その間にチャネル領域を前記基板表面に画定し、 さらに前記セルが、 前記チャネル領域上に形成されたゲート酸化膜と、 前記ゲート酸化膜上に形成され、多結晶シリコンを含有するフローティングゲートとを有し、 前記フローティングゲートが前記セルが含むただ1層の多結晶シリコン層の一部であって、 前記セルのプログラミング機能が前記ゲート酸化膜の一部を電子が通り抜けることにより行われ、 さらに、形成された前記セルが薄い酸化膜トンネル領域を備えていないことを特徴とするE2PROMセル。
IPC (4件)：
H01L 21/8247
, H01L 27/115
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
