特許
J-GLOBAL ID：200903073410966290
半導体製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-145621
公開番号（公開出願番号）：特開平5-339734
出願日： 1992年06月05日
公開日（公表日）： 1993年12月21日
要約：
【要約】【目的】 反応生成物が試料保持台17及び試料室13内に付着することが少ない半導体製造装置を提供すること。【構成】 試料室13に試料載置用の試料保持台17を備え、試料保持台17の近傍にガス導入用治具18を備えた半導体製造装置において、ガス導入用治具18が3層状に形成され、中央層に反応性ガスの導入口18bが形成され、前記中央層を挟んだ上下層に不活性ガスの導入口18a、18cが形成されている半導体製造装置。
請求項（抜粋）：
試料室に試料載置用の試料保持台を備え、該試料保持台の近傍にガス導入用治具を備えた半導体製造装置において、前記ガス導入用治具のガス導入口部が3層状に形成され、中央層に反応性ガスの導入口が形成され、前記中央層を挟んだ上下層に不活性ガスの導入口が形成されていることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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