発光ダイオードアレイ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-208870
公開番号（公開出願番号）：特開平7-015034
出願日： 1993年07月30日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：

【要約】【目的】拡散層の周辺部分から発光される強い光を効率良く外部に出力する。【構成】 n型GaAs基板1上にn型GaAsP 層2が積層されており、このn型GaAsP 層2にはZnを選択拡散させたp型GaAsP 層3が形成されている。そして、SiN膜などの層間絶縁膜9の上にAl電極5がパターニングされ、さらに、保護膜としてSiN 膜6で表面を覆うと共に、n型GaAs基板1の裏面にn型電極7が設けられている。また、コンタクトホール8となる層間絶縁膜9に形成されている窓は、Al電極5の直下の一部とその周辺部を残して拡散層3よりも大きなものとなっている。このとき、拡散層3の周辺部分3a上の膜は、Al電極5の周辺部を除いて反射低減条件を満たしたSiN 膜6だけとなっているので、拡散層3の周辺部分3aから発光される強力な光を効率良く出力させることができる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上に選択拡散により形成された拡散層を発光部として有する複数の発光ダイオードが列状に形成された発光ダイオードアレイにおいて、前記化合物半導体表面上に設けられ、前記拡散層上に電極コンタクトホールが形成された第1の絶縁膜と、前記各発光ダイオードの前記拡散層に電流を供給するオーミック電極と、前記化合物半導体表面上に設けられた第2の絶縁膜とを備え、前記電極コンタクトホール上の前記第2の絶縁膜の膜厚が光透過条件を満たすと共に前記拡散層上の前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜とが重なった部分の膜厚の合計が光透過条件を満たしていることを特徴とする発光ダイオードアレイ。

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