特許
J-GLOBAL ID：200903073428928612
気相成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-300211
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151324
出願日： 1992年11月11日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】水平に置かれ下面側から加熱される被成膜基板上面へ反応ガスを水平に導く, 反応炉容器内の石英ガラスからなる内管を反応炉容器から取り出して洗浄した後の装置再運転までの時間を短縮する。【構成】反応炉容器4内へ内管7を挿入あるいは反応炉容器4外へ内管7を取り出す搬送手段を備え内管7を次工程まで内部で待機させる準備室31を反応炉容器4に付設し、反応炉容器4を大気開放することなく反応炉容器4への内管7の出し入れを可能にして、内管7挿入後の反応炉容器4のベーキング工程を不要化する。
請求項（抜粋）：
被成膜基板が載置される水平な伝熱面を備えた平板状のサセプタと、サセプタの下面側からサセプタを加熱する抵抗加熱式の加熱手段と、反応ガスを水平方向に前記被成膜基板上面へ導く, 石英ガラスからなる流れ構成用の導入管および該導入管に接続する内管を収容する反応炉容器とを備えてなる反応炉と、前記被成膜基板およびサセプタを反応炉容器内へ挿入しあるいは反応炉容器外へ取り出すための搬送手段を設けたロードロック装置とを備えた気相成長装置において、前記流れ構成用の内管を反応炉容器内へ挿入あるいは反応炉容器外へ取り出すための搬送手段を備えるとともに内管を次工程まで内部で待機させる準備室が反応炉容器に付設されていることを特徴とする気相成長装置。
IPC (2件)：
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