特許

J-GLOBAL ID：200903073429996654

多層配線基板とその製造方法、及びそれに用いるシリカ焼結体の製造方法

発明者： 枦山 一郎 ,  生稲 一洋 ,  木村 光
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-247929
公開番号（公開出願番号）：特開平8-116177
出願日： 1994年10月13日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：

【要約】【目的】 低誘電率、低誘電損失を合わせ持ち、かつ低抵抗導体を同時焼成により内装化できる多層配線基板とその製造方法を提供する。【構成】 平均粒径が5〜500nmであるシリカの微粉末95.0〜99.5重量%とアルカリ金属化合物0〜5.0重量%及びアルカリ土類金属化合物0〜5.0重量%、またはシリカ微粉末95.0〜99.0重量%とB2 O3 1.0〜5.0重量%よりなる組成物を、水蒸気を含む雰囲気中800〜1200°Cの温度域で焼成する。

請求項（抜粋）：

SiO2 95.0〜99.5重量%、アルカリ金属化合物0〜5.0重量%、アルカリ土類金属化合物0〜5.0重量%からなる絶縁層と導体層よりなることを特徴とする多層配線基板。

IPC (3件)：

H05K 3/46 ,  C04B 35/14 ,  H05K 1/03 610

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-030196
  
• 特開昭60-171781
  
• 特開昭55-128899
  
• 特開昭63-074957