特許

J-GLOBAL ID：200903073430142731

新規水溶性ポリマー、これを用いた反射防止膜材料及びこれを用いたパターン形成方法

発明者： 浦野 文良 ,  大野 桂二 ,  森 康嘉
出願人/特許権者： 和光純薬工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-195409
公開番号（公開出願番号）：特開平10-017623
出願日： 1996年07月05日
公開日（公表日）： 1998年01月20日
要約：

【要約】【課題】 化学増幅型レジスト材料と併用することにより、未露光部の膜減りがない、矩形の良好なレジストパターン形状を形成し得、定在波の影響を低減し、PEDや感度のバラツキを生じない等化学増幅型レジスト材料の欠点を克服し、更に、現像時にレジストと共に除去することができ、且つ素子製造装置類も傷めない実用的な水溶性の反射防止膜材料とこれに用いる水溶性ポリマー並びに該反射防止膜材料を用いたパターン形成方法の提供。【解決手段】 一般式[1]【化1】[式中、R1及びn個のRは夫々独立して水素原子、フッ素原子、アルキル基又は含フッ素アルキル基を表し(但し、R1及びn個のRの内、少なくとも一つは含フッ素アルキル基を表す。)、nは1〜3の整数を表し、R2は水素原子、アルキル基、含フッ素アルキル基又はヒドロキシアルキル基を表し、k及びjは夫々独立して自然数を表し、mは0又は自然数を表す(但し、0.05≦j/(k+j+m)≦0.7であり、且つ0≦m/(k+j+m)≦0.7である。)。]で示されるポリマー、及び該ポリマーを含んで成る反射防止膜材料、並びにこれを用いたパターン形成方法。

請求項（抜粋）：

一般式[1]【化1】[式中、R1及びn個のRは夫々独立して水素原子、フッ素原子、アルキル基又は含フッ素アルキル基を表し(但し、R1及びn個のRの内、少なくとも一つは含フッ素アルキル基を表す。)、nは1〜3の整数を表し、R2は水素原子、アルキル基、含フッ素アルキル基又はヒドロキシアルキル基を表し、k及びjは夫々独立して自然数を表し、mは0又は自然数を表す(但し、0.05≦j/(k+j+m)≦0.7であり、且つ0≦m/(k+j+m)≦0.7である。)。]で示されるポリマー。

IPC (4件)：

C08F220/04 MLR ,  C08F220/64 ,  G03F 7/004 506 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

C08F220/04 MLR ,  C08F220/64 ,  G03F 7/004 506 ,  H01L 21/30 574 ,  H01L 21/30 575