特許

J-GLOBAL ID：200903073436231213

集積回路識別

発明者： 松並 聡
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド
代理人 (4件)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  吉田 裕 ,  岩本 行夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-403994
公開番号（公開出願番号）：特開2004-186690
出願日： 2003年12月03日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：

【課題】各チップの個別識別マークを効率良く与える半導体ウエハへのマーキング。【解決手段】半導体ウエハ302をマーキングするための方法であって、液晶画素を含むレチクル300を提供する工程、半導体ウエハをレチクルに近接して配置する工程、第1の複数の画素を介してウエハの第1の領域に放射を向ける工程、半導体ウエハとレチクルの相対的な位置を変更する工程、および第2の複数の画素を介してウエハの第2の領域に放射を向ける工程を含む。第1の複数の画素は、第1のマークを形成するために用いられ得、第2の複数の画素は、第2のマークを形成するために用いられ得、ここで、第2のマークは、第1のマークとは異なるものである。スペースを節約するため、これらのマークはドットのパターンでつくられ得る。画素は、各画素に連結され得るトランジスタをオンまたはオフにするコンピュータ304を用いることによって、ある一定のマークを形成するように選択され得る。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体ウエハをマーキングするための方法であって、 液晶画素を含むレチクルを提供し、 前記半導体ウエハを前記レチクルに近接して配置し、 第1の複数の前記画素を介して、前記ウエハの第1の領域に放射を向け、 前記半導体ウエハと前記レチクルの相対的な位置を変更し、さらに、 第2の複数の前記画素を介して、前記ウエハの第2の領域に放射を向ける工程 を含む方法。

IPC (3件)：

H01L21/027 ,  G03F1/08 ,  G03F7/20

FI (3件)：

H01L21/30 514F ,  G03F1/08 G ,  G03F7/20 521

Fターム (5件)：

2H095BA02 ,  2H095BC05 ,  2H095BE04 ,  5F046AA16 ,  5F046CB18