特許
J-GLOBAL ID：200903073438757930
熱電変換材料とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池条 重信 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-248285
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064227
出願日： 2000年08月18日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：
【要約】【課題】 Si基熱電変換材料のゼーベック係数、電気伝導率を低下させることなく、材料の熱伝導率を大きく低下させて、性能指数の大幅な向上が実現できる熱電変換材とその製造方法の提供。【解決手段】 キャリアーを発生させないGe,C,Snなどとともにキャリアーを発生させる添加元素とを合わせて30原子%以下含有して、Siが80原子%を占める結晶粒とその粒界部に該添加元素の1種以上が析出した粒界相を含む結晶組織を有するSi基多結晶体粉末と、熱伝導率と電気抵抗率の低いクラスレート化合物粉末を混合し、熱間圧縮成形することにより、Si基多結晶体の各粒子の周囲にクラスレート化合物多結晶体の粒子が配置された複合体組織を有して、高いゼーベック係数と低い電気抵抗率を損ねることなく、熱伝導率が大幅に低下する。
請求項（抜粋）：
添加元素を単独又は複合にて0.001原子%〜30原子%含有し、Siが80原子%を占める結晶粒とその粒界部に該添加元素の1種以上が析出した粒界相を含む結晶組織を有するSi基多結晶体と、AGaB多結晶体(但しAはBe,Mg,Ca,Sr,Baからなる2A族元素の少なくとも1種、BはC,Si,Ge,Sn,Pbからなる4A族元素の少なくとも1種)との複合体からなる熱電変換材料。
IPC (4件)：
H01L 35/14
, B22F 7/00
, C22C 1/10
, H01L 35/34
H01L 35/14
, B22F 7/00 Z
, C22C 1/10 Z
, H01L 35/34
4K018EA01
, 4K018EA21
, 4K018KA32
, 4K020AA21
, 4K020AC07
, 4K020BB29
