特許
J-GLOBAL ID：200903073439901970
表面弾性波素子基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-136828
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330882
出願日： 1995年06月02日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【目的】 簡便に周波数調整が可能な表面弾性波素子基板、およびその製造方法を提供する。【構成】 デバイス加工用基板1上に;該基板上に配置された圧電体層14と、該圧電体層に接触するように配置された電極層13とを少なくとも含む表面弾性波素子パターン15が形成されてなる表面弾性波素子基板。前記デバイス加工用基板の表面弾性波素子パターン15形成面1aと反対の面1b側には、該基板1の「反り量」を低減する歪み層2が形成されている。
請求項（抜粋）：
デバイス加工用基板上に;該基板上に配置された圧電体層と、該圧電体層に接触するように配置された電極層とを少なくとも含む表面弾性波素子のデバイス・パターンが形成されてなり、且つ、前記デバイス加工用基板の表面弾性波素子デバイス・パターン形成面と反対の面側に、該基板の「反り量」を低減する歪み層が形成されていることを特徴とする表面弾性波素子基板。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H03H 3/10
, H03H 9/25 C
, H03H 9/25 Z
