特許
J-GLOBAL ID:200903073440426304
耐水性導電体の形成方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-279126
公開番号(公開出願番号):特開2001-098069
出願日: 1999年09月30日
公開日(公表日): 2001年04月10日
要約:
【要約】【課題】 湿度依存性がなく高い導電性を発現し、しかも耐水性に優れている導電体の形成方法。【解決手段】 基板の少なくとも一つの面上に、スルホン酸基及び/またはカルボキシル基を有する酸性基置換の水溶性アニリン系導電性ポリマー(a)、及び溶媒(b)からなる導電性組成物を塗布し透明導電性高分子膜を形成した後、150°Cから280°Cの温度範囲にて10分を越えて30分を超えない範囲で加熱処理を行うことを特徴とする耐水性導電体の形成方法。
請求項(抜粋):
基板の少なくとも一つの面上に、スルホン酸基及び/またはカルボキシル基を有する酸性基置換の水溶性アニリン系導電性ポリマー(a)及び溶媒(b)からなる導電性組成物を塗布し透明導電性高分子膜を形成した後、150°Cから280°Cの温度範囲にて10分を越えて30分を超えない範囲で加熱処理を行うことを特徴とする耐水性導電体の形成方法。
IPC (3件):
C08G 73/00
, C08L 79/00
, C09D179/00
FI (3件):
C08G 73/00
, C08L 79/00 A
, C09D179/00
Fターム (52件):
4J002AC03X
, 4J002BC07X
, 4J002BE02X
, 4J002BF02X
, 4J002BG00X
, 4J002BG13X
, 4J002BJ00X
, 4J002CC04X
, 4J002CC18X
, 4J002CC21X
, 4J002CD00X
, 4J002CF01X
, 4J002CK00X
, 4J002CM05W
, 4J002EC036
, 4J002EC046
, 4J002ED036
, 4J002EE026
, 4J002EH036
, 4J002EP016
, 4J002EU026
, 4J002GQ02
, 4J038DJ011
, 4J038GA06
, 4J038GA13
, 4J038NA04
, 4J038NA20
, 4J038PA19
, 4J043PC115
, 4J043PC116
, 4J043PC185
, 4J043PC186
, 4J043QB02
, 4J043RA09
, 4J043RA12
, 4J043SA05
, 4J043SA62
, 4J043SA82
, 4J043SB01
, 4J043UA131
, 4J043UB301
, 4J043YA13
, 4J043YB03
, 4J043YB04
, 4J043ZA44
, 4J043ZB01
, 4J043ZB03
, 4J043ZB04
, 4J043ZB11
, 4J043ZB44
, 4J043ZB47
, 4J043ZB49
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