特許
J-GLOBAL ID：200903073447897426
半導体記憶装置の試験方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-223424
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047894
出願日： 1991年08月07日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】【目的】 半導体記憶装置のデータ保持の加速試験を容易かつ迅速に行い、加速試験に伴う信頼性の低下を回避する。【構成】 ウエハ内の各半導体記憶装置に加速試験用データを書き込み、前記データが書き込まれた半導体記憶装置をウエハ状態で高温雰囲気に所要時間さらす処理(ベーク処理)を実施し、その後、加速試験用データを読み出して、正しくデータが保持されているかどうかをチェックする。
請求項（抜粋）：
データ保持試験用のデータが書き込まれた半導体記憶装置を高温雰囲気に所要時間さらすベーク処理を施した後、前記データが正しく保持されているかどうかを試験する半導体記憶装置の試験方法において、半導体基板中の各半導体記憶装置に前記データ保持試験用のデータをそれぞれ書き込み、前記データが書き込まれた半導体記憶装置を基板状態でベーク処理することを特徴とする半導体記憶装置の試験方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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