特許
J-GLOBAL ID：200903073448689703
単結晶性薄膜
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-318523
公開番号（公開出願番号）：特開2004-149380
出願日： 2002年10月31日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：
【課題】基材上に薄膜を形成する場合に、より良質の単結晶性薄膜の形成を可能にして、バルク材と同等以上の特性を有する薄膜を提供する。【解決手段】基材上に形成された単結晶性薄膜であって、その薄膜は基材と異なる物質からなり、基材と薄膜とに共通に含まれる特定の原子層がそれらの基材と薄膜との界面において共有されており、界面から薄膜の単位格子100個以内の界面近傍領域において、基材の結晶方位を基準にしてずれ角±2度以内の方位を有して成長した結晶の割合が50%以上を占めることを特徴としている。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
下地層上に形成された薄膜であって、
前記薄膜は前記下地層と異なる物質からなり、
前記下地層と前記薄膜とに共通に含まれる特定の原子層が前記下地層と前記薄膜との界面において共有されており、
前記界面から前記薄膜の単位格子100個以内の界面近傍領域において、前記下地層の結晶方位を基準にしてずれ角±2度以内の方位を有して成長した結晶の割合が50%以上を占めることを特徴とする単結晶性薄膜。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B29/22 501Z
, H01L39/02 B
4G077AA03
, 4G077BC53
, 4G077EF03
, 4G077HA08
, 4M114AA29
, 4M114BB05
, 4M114DB62
出願人引用 (1件)
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単結晶性薄膜の形成方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-268776
出願人：住友電気工業株式会社, 東京電力株式会社
審査官引用 (1件)
-
単結晶性薄膜の形成方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-268776
出願人：住友電気工業株式会社, 東京電力株式会社
引用文献：
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