特許
J-GLOBAL ID：200903073453067192
半導体素子のGe-Si系薄膜形成用スパッタリングターゲット
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-195504
公開番号（公開出願番号）：特開2000-026957
出願日： 1998年07月10日
公開日（公表日）： 2000年01月25日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子の金属薄膜であるGe-Si系薄膜を、広い面積に亘って密着性に優れた均一な膜厚を高速で形成することができるスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 Si:0.5〜95重量%を含有し、さらにB、InおよびGaの内の1種または2種以上を合計で0.00005〜1.0重量%、酸素、窒素および炭素の内の1種または2種以上を合計で0.0001〜1.0重量%を含有したGe-Si系焼結体で構成する。
請求項（抜粋）：
Si:0.5〜95重量%、B:0.00005〜1.0重量%、酸素:0.0001〜1.0重量%を含有し、残部:Geおよび不可避不純物からなる組成の焼結体からなることを特徴とする半導体素子のGe-Si系薄膜形成用スパッタリングターゲット。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/34 A
, C22C 28/00 B
4K029AA06
, 4K029BA21
, 4K029BA46
, 4K029BB02
, 4K029BD01
, 4K029DC04
, 4K029DC09
