特許

J-GLOBAL ID：200903073453816110

超伝導素子

発明者： 上川 武富 ,  名取 栄治 ,  岩下 節也 ,  下田 達也
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-029297
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226712
出願日： 1992年02月17日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】 ミクロンオーダーのパターンルールで製造が可能であり、しかも制御性が良好で充分なスイッチング特性を有する超伝導素子を提供する。【構成】 第1の電極超伝導体、中間部超伝導体、第2の電極超伝導体、および制御電極を具備し、中間部超伝導体を介して第1の電極超伝導体と第2の電極超伝導体の間を流れる電流を制御電極信号によって制御する超伝導素子において、第1の電極超伝導体と中間部超伝導体の間に第1の弱結合体を、そして中間部超伝導体と第2の電極超伝導体の間に第2の弱結合体をそれぞれ設け、中間部超伝導体として第1および第2の電極超伝導体の臨界温度より低い臨界温度の超伝導材料を用いる。

請求項（抜粋）：

第1の電極超伝導体、中間部超伝導体、第2の電極超伝導体、および制御電極を具備し、中間部超伝導体を介して第1の電極超伝導体と第2の電極超伝導体の間を流れる電流を制御電極信号によって制御する超伝導素子において、第1の電極超伝導体と中間部超伝導体の間に第1の弱結合体を、そして中間部超伝導体と第2の電極超伝導体の間に第2の弱結合体をそれぞれ設けたこと、中間部超伝導体の臨界温度は第1および第2の電極超伝導体の臨界温度より低いことを特徴とする超伝導素子。