半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-247966
公開番号（公開出願番号）：特開2004-087865
出願日： 2002年08月28日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：

【課題】本発明の目的は、Si(半導体)基板表面に形成したゲート絶縁膜用の極薄SiO2膜に対し、膜中のN原子含有率が25%以上で、含有量の面内分布も±5%未満、さらにSi/SiO2界面へのN原子の析出も無視できるレベルと、N原子含有率ならびにその面内均一性が高く、かつ、急峻なN原子濃度分布の形成を可能にすることにある。【解決手段】本発明によれば、半導体基板を絶縁膜中に含有されたN原子の拡散長が窒化処理中に絶縁膜厚を超えない程度の温度に保持するとともに、前記基板に上記窒化を行う際に、外部から基板に対して印加されるバイアス電圧値を、該バイアス電圧によって加速されるイオン成分で絶縁膜の再スパッタが生じない程度の領域に制御し、該イオン成分の照射によって基板表面近傍のみを高温に加熱することを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒素ないし窒素化合物を含んだ反応ガスをプラズマ化させ、半導体基板表面上の絶縁膜を窒化させる工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記工程は、前記絶縁膜の深さ方向に、前記絶縁膜表面側が前記基板表面に比べて高温となるような温度勾配を形成し、該絶縁膜を窒化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/318 , H01L29/78

FI (2件)：

H01L21/318 A , H01L29/78 301G

Fターム (27件)：

5F058BA01 , 5F058BA06 , 5F058BC07 , 5F058BC11 , 5F058BC20 , 5F058BF64 , 5F058BF74 , 5F140AA24 , 5F140AA39 , 5F140AC32 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BD15 , 5F140BE02 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BK13 , 5F140CB04 , 5F140CE10

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