特許

J-GLOBAL ID：200903073457569583

位相シフト・マスクおよびその製造方法ならびにこれを用いた露光方法

発明者： 清水 秀夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-220577
公開番号（公開出願番号）：特開平9-061990
出願日： 1995年08月29日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 ハーフトーン位相シフト・マスクの遠紫外領域における解像特性の向上と、可視光領域における被検査特性あるいは取扱い性の向上とを両立させる。【解決手段】 ガラス基板1上にMoSix膜からなるハーフトーン位相シフタ2aを形成し、その開口5の内部に露出したガラス基板1の表層部にGa+ のイオン注入を行って低透過率領域6を形成する。KrFエキシマ・レーザ波長(248nm)におけるハーフトーン位相シフタ2aの絶対光透過率を従来と同じく6%としても、低透過率領域6の絶対光透過率を75%として基板透過光を減衰させることで、基板透過光に対するハーフトーン部の相対光透過率は(6/75)×100=8%に上昇する。よって、可視光領域での欠陥検査は従来どおり容易に行え、かつ実際の露光波長域では2次ピークを抑えて良好な解像を行うことができる。

請求項（抜粋）：

露光光に対して透明な基板と、前記基板上に所定のパターンをもって形成されるハーフトーン膜と、前記ハーフトーン膜の開口内に表出する前記基板の深さ方向の少なくとも一部を占め、前記露光光に対する光透過率が該基板よりも小さく前記ハーフトーン膜よりも大きくなされた低透過率領域とを有する位相シフト・マスク。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 1/08 A ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528