特許
J-GLOBAL ID：200903073466803459
窒化物半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-289805
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100837
出願日： 2000年09月25日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：
【要約】【課題】 結晶欠陥が少なく、すぐれた特性を示すことができる窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 GaN基板101上に窒化物半導体からなる複数の層102〜112が形成された構造を有する窒化物半導体発光素子は、発光層107と基板101との間に、窒化物半導体からなりかつ炭素を含む転位阻止層104を有する。転位阻止層104は、炭素を1014cm-3〜1020cm-3の濃度で含むAlGaN層である。転位阻止層104の厚みは40nm〜0.7μmである。転位素子層104は、n型GaN層102とn型AlGaNクラッド層103との間の格子不整合による転位の発生を効果的に阻止することができる。
請求項（抜粋）：
基板上に窒化物半導体からなる複数の層が形成された構造を有する窒化物半導体発光素子であって、前記複数の層のうちの発光層と前記基板との間に、窒化物半導体からなりかつ炭素を含む転位阻止層を有することを特徴とする、窒化物半導体発光素子。
Fターム (12件)：
5F073AA11
, 5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA55
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073CB19
, 5F073DA05
, 5F073DA35
, 5F073EA29
