特許

J-GLOBAL ID：200903073467345209

半導体記憶装置

発明者： 遠藤 正文 ,  内貴 唯八
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-345221
公開番号（公開出願番号）：特開2000-173281
出願日： 1998年12月04日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 メモリアレイ全体を、2値のデータと多値のデータとを記録する領域に分割し、一方、外部からは同一の記憶単位として扱えるようにする。【解決手段】 メモリアレイ4を多値および2値記憶の領域に分割し、それに対応して多値書き込み/読み出し制御回路12と2値書き込み/読み出し制御回路13を設ける。外部からの論理アドレスをメモリアレイの物理アドレスに変換するマッピング回路11を設けると共に、分割アドレスレジスタ15に多値領域と2値領域との分割位置を保持しておく。マッピング回路11で論理アドレスと物理アドレスとを変換し、コンパレータ16の出力からその物理アドレスがメモリアレイの多値記憶領域にあるか2値記憶領域にあるかを判断し、多値書き込み/読み出し制御回路12と、2値書き込み/読み出し回路13とを切り換える。

請求項（抜粋）：

多値データの記憶領域と2値データの記憶領域とが設定できるメモリアレイと、上記メモリアレイに対して多値データで書き込み/読み出しを行なうように制御する多値書き込み/読み出し制御手段と、上記メモリアレイに対して2値データで書き込み/読み出しを行なうように制御する2値書き込み/読み出し制御手段と、外部からの論理アドレスを上記メモリアレイの物理アドレスに変換するアドレス変換手段と、上記アドレス変換手段からの物理アドレスが上記メモリアレイの多値記憶領域にあるか2値記憶領域にあるかを判断する判断手段とを備え、上記判断手段の判断結果に基づいて、上記多値書き込み/読み出し制御手段と、2値書き込み/読み出し制御手段とを切り換えるようにした半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/02 ,  G06F 12/02 570

FI (2件)：

G11C 17/00 641 ,  G06F 12/02 570 D

Fターム (7件)：

5B025AD00 ,  5B025AD02 ,  5B025AE00 ,  5B025AE08 ,  5B060AB25 ,  5B060AC11 ,  5B060DA01