特許

J-GLOBAL ID：200903073467867825

フラッシュメモリおよびフラッシュメモリ制御装置

発明者： 秋山 靖浩 ,  荒澤 伸幸 ,  鳥取 猛志
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立マクセル株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-039670
公開番号（公開出願番号）：特開平8-235894
出願日： 1995年02月28日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】フラッシュメモリにおいて、消去,書き込み,読み込みの各動作に至るオーバーヘッドおよびチップ毎に生じていたアクセスタイムのばらつきを小さくする。【構成】フラッシュメモリの不良領域の位置管理情報を記憶した領域から上記位置情報を読み出す手段と、不良領域の位置情報を上記領域に書き込む手段と、フラッシュメモリの使用可能領域の位置管理情報を記憶した領域から上記使用可能領域の位置情報を読み出す手段と、上記領域の使用可能領域の位置情報を書換える手段と、外部とのデータの入出力を行う手段と、これらの手段を制御する手段を備える。

請求項（抜粋）：

フラッシュメモリの所定の記憶領域に所定のフォーマットでアクセスが不可能な領域の位置管理情報を格納した領域を有し、前記フラッシュメモリの所定の記憶領域に所定のフォーマットでアクセスが可能な領域の位置管理情報を記憶した領域を有することを特徴とするフラッシュメモリ。

IPC (2件)：

G11C 29/00 301 ,  G11C 16/06

FI (2件)：

G11C 29/00 301 C ,  G11C 17/00 309 E