特許
J-GLOBAL ID：200903073469329952
金属フッ化物薄膜の成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
奈良 武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-341766
公開番号（公開出願番号）：特開平7-166344
出願日： 1993年12月10日
公開日（公表日）： 1995年06月27日
要約：
【要約】【目的】 低屈折率の光学薄膜材料をスパッタリングにより、速い成膜速度で成膜する。【構成】 金属ターゲットを用い、少なくとも不活性ガスとフッ素原子を含むガスとの混合ガスで反応性DCスパッタすることにより金属フッ化物薄膜を成膜する。
請求項（抜粋）：
金属ターゲットを用い、少なくとも不活性ガスとフッ素原子を含むガスとの混ガスで反応性DCスパッタすることを特徴とする金属フッ化薄膜の成膜方法。
IPC (3件)：
C23C 14/34
, C23C 14/06
, G02B 1/10
