特許

J-GLOBAL ID：200903073470209634

荷電粒子ビーム露光方法

発明者： 金田 博幸
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-218077
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069107
出願日： 1992年08月18日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】 本発明は,半導体集積回路,ならびに電子デバイス製造における電子ビーム描画方法に関し,可変矩形ビーム描画方法において,ビームサイズの大きさと電流密度の関係を把握して,パターンを高精度に形成する手段を得ることを目的とする。【構成】 荷電矩形ビームを用いた荷電粒子ビーム露光方法において, あらかじめ複数のビームサイズにおける,ビームサイズと電流密度の測定値との関係式を求め,パターン露光時に,該パターンの大きさに応じでビームサイズを変化する時の,該電流密度値の変動を該関係式を用いて補正するように構成する。

請求項（抜粋）：

荷電矩形ビームを用いた荷電粒子ビーム露光方法において,あらかじめ複数のビームサイズにおける,ビームサイズと電流密度の測定値との関係式を求め,パターン露光時に,該パターンの大きさに応じでビームサイズを変化する時の,該電流密度値の変動を該関係式を用いて補正することを特長とする荷電粒子ビーム露光方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 506 ,  G03F 7/20 521

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-173119
  
• 特開平2-238615
  
• 特開昭63-285933
  
• 特開平2-125417
  
• 特開昭58-068928