特許

J-GLOBAL ID：200903073470701466

単結晶表面層の評価方法

発明者： 伊藤 進夫 ,  西根 士郎
出願人/特許権者： 伊藤 進夫 ,  住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-220073
公開番号（公開出願番号）：特開平6-066740
出願日： 1992年08月19日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】 X線の侵入深さをさらに小さく、かつ、小さい領域から深さ方向に変化できる、単結晶表面層の加工歪みやエピタキシャル層の結晶性などの非破壊検査法に適した単結晶表面層の評価方法を提供しようとするものである。【構成】 X線二結晶法により単結晶表面層を評価する方法において、評価対象の単結晶の表面層を水平に配置した後、反射面が得られる条件下で、水平面からの角度、並びに、上記単結晶の反射面の面内における回転角を調整して、上記単結晶に対するX線照射角を変化させることを特徴とする単結晶表面層の評価方法である。

請求項（抜粋）：

X線二結晶法により単結晶表面層を評価する方法において、評価対象の単結晶の表面層を水平に配置した後、反射面が得られる条件下で、水平面からの角度、並びに、上記単結晶の反射面の面内における回転角を調整して、上記単結晶に対するX線照射角を変化させることを特徴とする単結晶表面層の評価方法。