特許
J-GLOBAL ID：200903073475937263
多結晶シリコン膜、多結晶シリコンの製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、液晶表示装置の製造方法、及びレーザアニール装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-228561
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074697
出願日： 1996年08月29日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：
【要約】【課題】 多結晶シリコンを製造する際に水素脱気によるアブレーションを起こさず、良質で結晶粒径の大きい多結晶シリコンを得ることを目的とする。【解決手段】 エネルギービームの走査方向に裾を持たせ、非単結晶シリコンの任意の点が最初に受けるエネルギー密度は160mJ/cm2 未満であり、160mJ/cm2 以上のエネルギー密度のエネルギーが照射される場合は、前ショット以前に受けたエネルギー密度の最大値+15mJ/cm2 以下であり、かつ実質的な最大エネルギー密度のエネルギーが10回以上120回以下照射されることを特徴とする。また、最大エネルギーが照射された後には、それよりも低いエネルギー密度で5回以上照射されないことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された非単結晶シリコンに、エネルギービームを1ショットの照射毎に前記基板と相対的に所定距離だけ走査させて照射し、前記非単結晶シリコンを多結晶化する工程を有する多結晶シリコンの製造方法において、前記非単結晶シリコンの任意の点が最初に受けるエネルギー密度は160mJ/cm2 未満であり、それ以後に160mJ/cm2 以上のエネルギー密度のエネルギーが照射される場合は、前ショット以前で受けたエネルギー密度の最大値+15mJ/cm2 以下の大きさであり、かつ前記任意の点は実質的な最大エネルギー密度のエネルギーを10ショット以上120ショット以下受けることを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/20
, G02F 1/136 500
, H01L 21/268
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, G02F 1/136 500
, H01L 21/268 Z
, H01L 27/12 R
, H01L 29/78 627 G
