特許

J-GLOBAL ID：200903073478758009

能動素子保護構造およびその構造の形成方法

発明者： ヒョク・ゼ・イ
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-289015
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270493
出願日： 1996年10月14日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、耐ESD特性を改善して、過剰電圧による内部回路の破壊を防止するようにしたものである。【解決手段】 半導体素子のESD保護回路から約1000μm半径以内に形成される、ESD保護回路および内部回路の各能動素子のゲート絶縁膜の厚さを約1000μm半径の外に形成される能動素子のゲート絶縁膜より厚く形成した。

請求項（抜粋）：

パッドを通じて内部回路側に印加される過剰電圧から能動素子を保護する構造において、過剰電圧を遮断するESD保護回路から約1000μm半径以内に形成されるESD保護回路および内部回路の各能動素子のゲート絶縁膜の厚さを上記約1000μm半径の外に形成される能動素子のゲート絶縁膜より厚く形成したことを特徴とするESD保護回路の構造。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 23/60

FI (3件)：

H01L 27/04 H ,  H01L 23/56 B ,  H01L 27/04 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-196677