イオンビームの誘導方法とそれに用いるイオンビームリペラー及びイオン注入装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：萼経夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-007395
公開番号（公開出願番号）：特開平9-231937
出願日： 1997年01月20日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】中和電子の逆流を阻止して、イオンビームを誘導する方法及びそのためのイオンビームリペラーとイオン注入装置を提供すること。【解決手段】イオン源12から加工片がイオンビームで処理されるイオン注入部16までのイオンビーム経路に沿ってイオンビームを維持する。ビーム注入部16の上流側にイオンビーム中和器44が配置されて、中和電子をイオンビームへ噴射する。イオンビーム中和器44の位置の上流側に、中和電子の上流向き移動を防止するための磁界が形成される。電子の移動を防止する磁界を形成するために、離設された第1及び第2永久磁石を用いている。

請求項（抜粋）：

イオンビーム(14)内の中和電子の移動を制御することによって、イオン源(12)から加工片のイオンビーム処理を行う処理部へイオンビーム(14)を誘導する方法であって、a)イオンビームをイオン源(12)からイオンビーム処理を行うためにターゲット加工片が置かれている注入部(16)までイオンビーム経路に沿って誘導する段階と、b)イオンビームがターゲット加工片に接する前の中和位置で中和電子をイオンビーム内へ噴射する段階と、c)イオンが中和位置に達する前でイオンビームに隣接する地点に磁気抑制電極(110、140)を配置することによって、中和電子が中和位置から離れて上流側へ移動するのを防止するための磁界を形成する段階とを有していることを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01J 37/317 , C23C 14/48 , H01L 21/265

FI (4件)：

H01J 37/317 C , H01J 37/317 Z , C23C 14/48 C , H01L 21/265 N

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