特許
J-GLOBAL ID：200903073483913900

半導体発光装置

発明者：
大西 俊一

大西 俊一 について

, 
谷川 達也

谷川 達也 について

, 
上田 哲三

上田 哲三 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (12件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-219046
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156947
出願日： 2005年07月28日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：
【課題】出射光の偏波モードが安定で且つレーザの変調帯域が広い、高速の光通信に用いる半導体発光装置を実現できるようにする。【解決手段】基板10の上に第1の反射鏡11、活性層15、電流狭窄層16、第2の反射鏡17及びp型コンタクト層18が順次積層されてなる素子形成領域が形成されている。素子形成領域の一部は、第1の反射鏡11が露出するまで選択的にエッチングされて形成された凹部によって他の領域と隔てられ、メサ部30が形成されている。メサ部30においてp型コンタクト層18の上には、SiO2からなる中間層21と金等からなる開口部を有する金属膜23が形成されている。メサ部30を取り囲む凹部の側壁及び底面を覆うように第1の保護膜24が形成されており、第1の保護膜24に覆われた凹部を埋めるようにBCB樹脂からなる樹脂膜25が形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板の上に形成され、周囲が掘り込まれてなる凹部によって絶縁され、活性層を含むメサ部を有する共振器と、 前記凹部を埋める樹脂層と、 前記共振器における前記活性層からの発光光を取り出す光取り出し面に設けられ、前記発光光の発光波長よりも径が小さい開口部が形成された金属膜とを備えていることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件)：
H01S 5/183
FI (1件)：
H01S5/183
Fターム (25件)：
5F173AC03 ,  5F173AC13 ,  5F173AC15 ,  5F173AC26 ,  5F173AC35 ,  5F173AC42 ,  5F173AC48 ,  5F173AC52 ,  5F173AF03 ,  5F173AH03 ,  5F173AJ06 ,  5F173AJ13 ,  5F173AK22 ,  5F173AL07 ,  5F173AL12 ,  5F173AL13 ,  5F173AL14 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AP67 ,  5F173AR26 ,  5F173AR36 ,  5F173AR44 ,  5F173AR64 ,  5F173AR65
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (8件)
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引用文献：
審査官引用 (3件)

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