特許

J-GLOBAL ID：200903073485927797

低温焼成多層基板

発明者： 久和 俊一 ,  槙野 勝
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-011531
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224556
出願日： 1993年01月27日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、印刷作業性、印刷直線性に優れ、且つ低温で焼結しても、有機樹脂、それを含む有機ビヒクルの残存によるボイド等の内部欠陥がない低温焼成多層基板を提供する。【構成】本発明は、ガラス-セラミックから成る絶縁層間に低抵抗の金属材料から成る内部配線を配した低温焼成多層基板において、前記内部配線は、固形成分である少なくとも導電性粉末と、有機樹脂及び有機溶剤から成る有機ビヒクルとから成り、有機ビヒクルの合計が固形成分100重量部に対して35〜45重量%であり、有機樹脂が固形成分100重量部に対して 1.0〜4.5重量%から成る導電性ペーストを焼成して形成される。

請求項（抜粋）：

ガラス-セラミックから成る絶縁層間に低抵抗の金属材料から成る内部配線を配した低温焼成多層基板において、前記内部配線は、固形成分である少なくとも導電性粉末と、有機樹脂及び有機溶剤から成る有機ビヒクルとから成り、且つ有機ビヒクルの合計が固形成分100重量部に対して35〜45重量%であり、有機樹脂が固形成分100重量部に対して1.0〜4.5重量%から成る導電性ペーストを焼成して形成されていることを特徴とする低温焼成多層基板。

IPC (4件)：

H05K 3/46 ,  H01F 17/00 ,  H01G 4/30 301 ,  H05K 1/09