半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-290001
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140713
出願日： 1992年10月28日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】量子井戸型の活性層を有する半導体レーザに関し、伝導帯または価電子帯の量子井戸における離散的エネルギを有するキャリアの密度を実効的に増加させることのできる新規な量子井戸構造を含む活性層を備えた半導体レーザを提供することを目的とする。【構成】伝導帯または価電子帯の一方のみに量子井戸を形成する不対量子井戸層と、該不対量子井戸層と近接して配置され、伝導帯および価電子帯に対になった量子井戸を形成する対量子井戸層であって、前記不対量子井戸と対量子井戸とがトンネル結合した対量子井戸層とを含む。

請求項（抜粋）：

伝導帯または価電子帯の一方のみに量子井戸を形成する不対量子井戸層(S)と、該不対量子井戸層と近接して配置され、伝導帯および価電子帯に対になった量子井戸を形成する対量子井戸層であって、前記不対量子井戸と対量子井戸とがトンネル結合した対量子井戸層(M)とを含む活性層を備えた半導体レーザ。

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平2-228088
特開平4-241487
特開平3-191579

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審査官引用 (2件)

特開平2-228088
特開平4-241487

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