特許
J-GLOBAL ID：200903073486731853
レーザアニール装置及びレーザアニール方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
萼 経夫
, 宮崎 嘉夫
, 小野塚 薫
, ▲高▼ 昌宏
, 中村 壽夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-182445
公開番号（公開出願番号）：特開2006-005291
出願日： 2004年06月21日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：
【課題】 薄板半導体のウェハに対して半導体レーザを用いて良好に熱処理でき、かつ小型化を図ることができるレーザアニール装置を提供する【解決手段】 不純物イオンが注入されたIGBTウェハ2の裏面3aへのレーザビーム4の照射により活性化熱処理を行なわれ、レーザビーム4は半導体レーザ8に発生させ、IGBTウェハ2は回転円盤6に載置され、回転円盤6の回転時にIGBTウェハ2へのレーザビーム4の照射が行なわれる。レーザビーム4の照射は、IGBTウェハ2の裏面3aから深さ1μmまでの領域が950°C以上1200°C未満の温度で、表面3bが450°C以下の温度となるように行なわれる。レーザビーム4の照射時間を許容範囲に抑える調整を回転円盤6の回転速度を調整することにより行なえるので、大きなストロークを必要とする直動システムを用いる従来技術に比して、装置の小型化を図ることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
不純物イオンが注入されたウェハの裏面へのレーザビームの照射により活性化熱処理を行なって薄板半導体を得るレーザアニール装置であって、
前記レーザビームは半導体レーザに発生させ、
前記ウェハは回転円盤に載置され、
前記回転円盤の回転時に前記ウェハへのレーザビームの照射を行なうことを特徴とするレーザアニール装置。
IPC (6件)：
H01L 21/268
, B23K 26/00
, H01L 21/265
, H01L 29/739
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L21/268 G
, H01L21/268 T
, B23K26/00 E
, H01L21/265 602C
, H01L29/78 655C
, H01L29/78 658A
4E068AH00
, 4E068CD01
, 4E068CD05
, 4E068CE01
