半導体装置の絶縁膜保護方法と容量素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-054104
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268155
出願日： 1993年03月15日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】容量素子等の絶縁膜の膜厚が目減りしないように絶縁膜を保護する方法および高精度な容量素子の製造方法を提供する。【構成】半導体基板1に第1の電極2を形成する工程と、上記半導体基板1上に層間絶縁膜3を成膜する工程と、上記層間絶縁膜3にコンタクトホールを開口する工程と、上記層間絶縁膜3上に絶縁膜4を成膜した後、後工程における処理による上記絶縁膜4のエッチングを防止するため、上記絶縁膜4上に保護膜5を成膜する工程と、上記保護膜5と絶縁膜4をパターニングし上記誘電体膜4aを形成する工程と、上記保護膜4a上に第2の電極8を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を成膜した後、後工程における処理による前記絶縁膜のエッチングを防止するため、前記絶縁膜上に保護膜を連続的に成膜することを特徴とする半導体装置の絶縁膜保護方法。

引用特許：

審査官引用 (1件)

スクリーン印刷装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-282621 出願人：松下電器産業株式会社

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