特許

J-GLOBAL ID：200903073489213543

半導体ウエハのダイシング方法及び装置

発明者： 後藤 登
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 上代 哲司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-172358
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037168
出願日： 1994年07月25日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウエハを複数のチップに分割するためのダイシング方法及び装置に関する。【構成】 半導体ウエハ11の表面にV溝を形成する手段12-Aと、半導体ウエハを切断する切断手段12-Bと、半導体ウエハが固定されるウエハ固定面18を有すると共に、該ウエハ固定面と前記V溝形成手段の相対位置が調整されるようになっているウエハ固定手段13と、前記ウエハ固定面上に固定された半導体ウエハを撮像してその画像情報を取り込む撮像手段20と、前記撮像手段から入力された画像情報を画像処理してV溝の幅を検出する画像処理手段22と、前記画像処理手段により検出されたV溝幅を入力し、前記半導体ウエハとV溝形成手段との相対位置を制御する制御手段23とを備える半導体ウエハのダイシング装置であって、V溝を形成すると共にV溝幅の検出、V溝幅の制御及び半導体ウエハの切断を行なうようになっている。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハの表面にV形の溝を形成すると共にV溝幅を検出し、該V溝幅が所定の範囲に入るように制御し、しかる後該V溝に沿って半導体ウエハを切断することを特徴とする半導体ウエハのダイシング方法。

FI (4件)：

H01L 21/78 Q ,  H01L 21/78 C ,  H01L 21/78 L ,  H01L 21/78 F