半導体微細機械素子及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山川政樹 , 黒川弘朗 , 山川茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-310137
公開番号（公開出願番号）：特開2009-135270
出願日： 2007年11月30日
公開日（公表日）： 2009年06月18日
要約：

【課題】原子間力顕微鏡のカンチレバーなどに適用可能な微細な機械素子が、より高速に応答できるようにする。【解決手段】例えば面方位が(001)のGaAsからなる基板101の上に、まず、単結晶のAlGaAsからなる犠牲層102,単結晶の絶縁性GaAsからなる絶縁層103を備えている。また、シリコンがドープされた単結晶の導電性GaAsからなる導電層104,単結晶の絶縁性Al0.7Ga0.3Asからなる圧電体層105,及びシリコンがドープされた単結晶の導電性GaAsからなる導電層106を備えている。また、半導体微細機械素子は、上述した積層構造体により、支持部111及びこれに支持された可動部112が形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の上に形成された支持部と、この支持部に支持された可動部とを備え、前記可動部は、第1化合物半導体からなる下部導電層と、この下部導電層の上に形成され、前記第1化合物半導体より大きなバンドギャップエネルギーを有し、かつ圧電効果を有する第2化合物半導体からなる圧電体層と、この圧電体層の上に形成された電圧印加検出部とを少なくとも備えることを特徴とする半導体微細機械素子。

IPC (4件)：

H01L 41/09 , H01L 41/187 , H01L 41/22 , H02N 2/00

FI (4件)：

H01L41/08 C , H01L41/18 101B , H01L41/22 Z , H02N2/00 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-332174
圧電素子及びMEMSデバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-033436 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
特開平2-073162

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