特許
J-GLOBAL ID：200903073497140407
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮越 典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-061389
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260361
出願日： 1996年03月18日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】【課題】 水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)の水溶液を用いて、ポリシリコンを選択的にエッチングする半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 TMAHの5〜20重量%水溶液を用い、液温20〜40°Cでポリシリコンを選択的にエッチングする。この手段によれば、例えば面方位{111}のシリコン“{111}基板1”及び“ボロンが押し込まれたポリシリコン7a”への高い選択比を有するので、図2工程Bで形成したノンド-プポリシリコン7をエッチングして、図2工程Cに示すような所望のエッチング構造「SSTのエミッタ形状」が得られる。
請求項（抜粋）：
水酸化テトラメチルアンモニウムの5〜20重量%水溶液を20〜40°Cの液温にて使用することにより、ポリシリコンを選択的にエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/308
, H01L 21/306
, H01L 21/331
, H01L 29/73
H01L 21/308 D
, H01L 21/306 G
, H01L 29/72
