電極基板およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-363774
公開番号（公開出願番号）：特開2002-170431
出願日： 2000年11月29日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：

【要約】【課題】電気的安定性に優れた電極を有する電極基板、およびその製造方法を提供する。【解決手段】 In原子含有化合物からなる電極と、基板本体とを含む電極基板であって、X線光電子分光法により、電極表面において測定されるIn原子の3d5/2軌道スペクトルピークの半値幅を〔In3d5/2〕hとし、電極の内部において測定されるIn原子の3d5/2軌道スペクトルピークの半値幅を〔In3d5/2〕nとしたときに、半値幅の比率(〔In3d5/2〕h/〔In3d5/2〕n)を1〜1.2の範囲内の値とする。

請求項（抜粋）：

In原子含有化合物からなる電極と、基板本体とを含む電極基板であって、X線光電子分光法により、電極表面において測定されるIn原子の3d5/2軌道スペクトルピークの半値幅を〔In3d5/2〕hとし、当該電極の内部において測定されるIn原子の3d5/2軌道スペクトルピークの半値幅を〔In3d5/2〕nとしたときに、半値幅の比率(〔In3d5/2〕h/〔In3d5/2〕n)を0.9〜1.2の範囲内の値とすることを特徴とする電極基板。

IPC (12件)：

H01B 5/14 , B32B 7/02 104 , B32B 9/00 , G02F 1/1343 , G09F 9/30 310 , G09F 9/30 330 , H01B 13/00 503 , H01B 13/00 , H05B 33/02 , H05B 33/10 , H05B 33/14 , H05B 33/26

FI (12件)：

H01B 5/14 A , B32B 7/02 104 , B32B 9/00 A , G02F 1/1343 , G09F 9/30 310 , G09F 9/30 330 Z , H01B 13/00 503 A , H01B 13/00 503 B , H05B 33/02 , H05B 33/10 , H05B 33/14 A , H05B 33/26 Z

Fターム (80件)：

2H092HA04 , 2H092MA01 , 2H092MA35 , 2H092MA55 , 3K007AB11 , 3K007AB18 , 3K007CA01 , 3K007CB01 , 3K007DA01 , 3K007DB03 , 3K007EB00 , 3K007FA01 , 4F100AA01C , 4F100AA12A , 4F100AA13A , 4F100AA15A , 4F100AA16A , 4F100AA17A , 4F100AA18A , 4F100AA19A , 4F100AA20 , 4F100AA20A , 4F100AA28 , 4F100AA28A , 4F100AA33 , 4F100AA33A , 4F100AA37C , 4F100AB01A , 4F100AG00 , 4F100AH00C , 4F100AT00B , 4F100BA02 , 4F100BA03 , 4F100BA07 , 4F100BA10B , 4F100BA10C , 4F100EH112 , 4F100EH66A , 4F100EH662 , 4F100GB41 , 4F100JA12A , 4F100JA20C , 4F100JG04 , 4F100JG10 , 4F100JG10A , 4F100JL02 , 4F100JL03 , 4F100JM02C , 4F100JN01A , 4F100JN01B , 4F100JN30A , 4F100YY00A , 4F100YY00C , 5C094AA04 , 5C094AA24 , 5C094AA31 , 5C094AA43 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094DA13 , 5C094DA14 , 5C094DB01 , 5C094DB04 , 5C094EA05 , 5C094EB02 , 5C094ED03 , 5C094FA02 , 5C094FB02 , 5C094FB12 , 5C094GB10 , 5C094JA20 , 5G307FA01 , 5G307FA02 , 5G307FB01 , 5G307FC10 , 5G307GA08 , 5G307GC02 , 5G323BA02 , 5G323BB05 , 5G323BC03

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