特許
J-GLOBAL ID：200903073499638828
半導体レーザ素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-206928
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078785
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】 横モードが安定で、低電流での発振が可能なII-VI族化合物リッジ導波路型半導体レーザ素子を提供する。【構成】 リッジストライプ部の両側の低地部に芳香族ポリアミド樹脂からなる埋め込みブロック層が形成され、リッジストライプ部及び埋め込みブロック層上面に電極が形成されている。埋め込みブロック層は素子特性の悪化をまねかないよう220°C以下の加熱処理で形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に少なくとも下部クラッド層、II-VI族化合物半導体活性層、上部クラッド層が順次積層されてなるII-VI族化合物半導体レーザ素子において、該半導体レーザ素子は上部クラッド層を加工してなるリッジストライプ部と、該リッジストライプ部の両側の前記加工された上部クラッド層の低地部に芳香族ポリアミド樹脂からなる埋め込みブロック層とを有することを特徴とするリッジ導波路型半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
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