特許

J-GLOBAL ID：200903073500223920

半導体素子用冷却装置およびその製造方法

発明者： 米田 良忠
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-196660
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040715
出願日： 1997年07月23日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子が均一に圧接されて効率のよい冷却ができ、半導体素子の電気的特性の安定化や信頼度の向上が図れるとともに、製造コストを低減した半導体素子用冷却装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 蓋ブロック2Aが接合される主面とは反対側の主面において、平面視輪郭形状が矩形となった凹状の圧接面PS3が形成されており、この部分の表面硬度が、加圧成形処理によりビッカース硬度でHV=70〜90の範囲となっている。

請求項（抜粋）：

一方主面に冷却流体用の流路が形成された第1の冷却ブロックと、前記一方主面を覆い、前記流路を液密にシールするようにロウ付けにより接合される第2の冷却ブロックとを備え、前記第1の冷却ブロックの一方主面とは反対側の他方主面が前記半導体素子の外部主電極の主面に圧接され、前記半導体素子が通電中に発生する熱を外部に放散させる半導体素子用冷却装置において、前記第1の冷却ブロックの前記他方主面の、少なくとも前記半導体素子の外部主電極の主面に圧接される圧接面の表面硬度が、加圧成形処理によりビッカース硬度でHV=70〜90の範囲となっていることを特徴とする半導体素子用冷却装置。

IPC (2件)：

H01L 23/40 ,  H01L 23/473

FI (2件)：

H01L 23/40 D ,  H01L 23/46 Z

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開昭63-241956
  
• 特開昭54-031278