特許
J-GLOBAL ID：200903073500887357
半導体加速度センサ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-183707
公開番号（公開出願番号）：特開平8-050142
出願日： 1994年08月04日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：
【要約】【目的】 気泡がパッケージ内で発生するのを防止し、安価で精度の高い半導体加速度センサ及びその製造方法を得ることを目的とする。【構成】 半導体加速度センサ素子4は台座3に保持され、台座3はベース1の固定されている。ベース1はキャップ7で密封され、内部にシリコーンオイル9が充填されている。キャップ7の中央部7bが外圧により変形し、シリコーンオイル9は常圧よりも高い圧力となっている。【効果】 低温放置によっても気泡の発生を防止でき、精度の高い半導体加速度センサとなる。
請求項（抜粋）：
ゲージ抵抗が形成され薄肉部を有する半導体加速度センサ素子と、この半導体加速度センサ素子の一端を片持ち梁となるように保持する台座と、この台座を支持するベースと、上記半導体加速度センサ素子及び上記台座を覆って内部を密閉するキャップと、上記ベースと上記キャップとによって形成される空間に充填されるオイルと、上記空間内に配置される圧力緩衝部材とを備えた半導体加速度センサであって、上記オイルは常圧より高い圧力で充填されていることを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (2件)：
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