特許

J-GLOBAL ID：200903073502726482

半導体エレクトレットコンデンサマイクロホン

発明者： 大林 義昭 ,  安田 護 ,  大澤 周治
出願人/特許権者： ホシデン株式会社
代理人 (1件)： 大西 孝治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-038430
公開番号（公開出願番号）：特開2000-236596
出願日： 1999年02月17日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
要約：

【要約】【目的】 寄生容量を減少させる。【構成】 必要な電子回路110が周縁部に形成された半導体チップ100と、この半導体チップ100の上面に積層された絶縁層200と、この絶縁層200の上に積層された固定電極300と、この固定電極300と所定の間隔(例えば、20μm程度)を有して対向する振動膜500とを有する電気音響変換素子1000を備えており、前記振動膜500にエレクトレット層510が形成された半導体エレクトレットコンデンサマイクロホンであって、前記絶縁層200は、少なくとも0.1μm以上の厚さがある。

請求項（抜粋）：

必要な電子回路が上面周縁部に形成された半導体チップと、この半導体チップの上面に積層された絶縁層と、この絶縁層の上に積層された固定電極と、この固定電極と所定の間隔を有して対向する振動膜とを有する電気音響変換素子を具備しており、前記振動膜にエレクトレット層が形成、又は固定電極側にエレクトレット層が形成された半導体エレクトレットコンデンサマイクロホンにおいて、前記絶縁層は、少なくとも0.1μm以上の厚さがあることを特徴とする半導体エレクトレットコンデンサマイクロホン。

Fターム (4件)：

5D021CC03 ,  5D021CC04 ,  5D021CC11 ,  5D021CC15

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 集積型容量性変換器及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-255947   出願人：ホシデン株式会社
• 集積容量性変換器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-225387   出願人：セムセントルスイスデレクトロニクエドゥミクロテクニクソシエテアノニム-ルシェルシュエデベロプマン
• 特開昭54-127316