特許

J-GLOBAL ID：200903073510600994

半導体装置の製造方法、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの製造方法及び絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ

発明者： 石川 英司 ,  近藤 憲司 ,  曽我 肇
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-221242
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044216
出願日： 1999年08月04日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】 トレンチの底部のコーナー部を十分に丸め、しかも、過剰なシリコン削れの発生を防止する。【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、異方性エッチングを行うことにより半導体基板1上にトレンチ5を形成する第1の工程を備え、この第1の工程の後、順テーパエッチングを行うことにより前記トレンチ5の底部のコーナー部5aを順テーパ形状に加工する第2の工程を備え、この第2の工程の後、等方性エッチングを行うことにより前記トレンチ5の底部のコーナー部5aを丸める第3の工程を備えた方法である。

請求項（抜粋）：

異方性エッチングを行うことにより半導体基板上にトレンチを形成する第1の工程と、この第1の工程の後、順テーパエッチングを行うことにより前記トレンチの底部のコーナー部を順テーパ形状に加工する第2の工程と、この第2の工程の後、等方性エッチングを行うことにより前記トレンチの底部のコーナー部を丸める第3の工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 29/78 658 G ,  H01L 21/302 M ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 653 C ,  H01L 29/78 655 A

Fターム (18件)：

5F004AA16 ,  5F004BA03 ,  5F004BA08 ,  5F004BB07 ,  5F004BB11 ,  5F004CA02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004EA13 ,  5F004EA28 ,  5F004EA29 ,  5F004EB04 ,  5F004EB08 ,  5F004FA08