特許

J-GLOBAL ID：200903073511865789

半導体モジュール

発明者： 碓井 修 ,  武藤 浩隆
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-176869
公開番号（公開出願番号）：特開2001-358282
出願日： 2000年06月13日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：

【要約】【課題】 半導体モジュールの温度変化によらず、電流を正確に検出できる半導体モジュールを提供する。【解決手段】 半導体スイッチ素子4と、表面にアノード電極7が形成され半導体スイッチ素子4と逆並列に電気的に接続された還流用ダイオード素子5と、半導体スイッチ素子4と還流用ダイオード素子とを電気的に接続するアルミニウムワイヤ12aと、還流用ダイオード素子5と外部電極11とを電気的に接続するアルミニウムワイヤ12bとを有する半導体モジュールにおいて、還流用ダイオード素子5のアノード電極7の一部を半導体スイッチ素子に流れる主電流を検出するための電流検出抵抗8として使用する。半導体スイッチ素子に流れる主電流は電流検出抵抗8の両端の電位差に基いて検出される。

請求項（抜粋）：

表面に電極が形成された半導体スイッチ素子と、表面にアノード電極が形成され上記半導体スイッチ素子と逆並列に電気的に接続された還流用ダイオード素子と、外部電極と、上記半導体スイッチ素子と上記還流用ダイオード素子とをそれらの電極を介して電気的に接続する第1の配線導体と、上記還流用ダイオード素子と上記外部電極とを電気的に接続する第2の配線導体とを有する半導体モジュールにおいて、上記還流用ダイオード素子のアノード電極の一部分からなり、該アノード電極の一部分を抵抗として使用し、該抵抗の両端の電位差に基いて上記半導体スイッチ素子に流れる主電流を検出する電流検出手段を有することを特徴とする半導体モジュール。