特許
J-GLOBAL ID:200903073516940134

半導体集積回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 尾身 祐助
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-078495
公開番号(公開出願番号):特開平5-243378
出願日: 1992年02月28日
公開日(公表日): 1993年09月21日
要約:
【要約】【目的】 スタンダードセル方式によるセル列内に、ゲートアレイ方式の基本セルを挿入して配線工程以降のみの変更により、回路修正を行いうるようにして再設計における開発費用と開発期間の削減を図る。【構成】 スタンダードセル6を横方向に並べたセル列8の未配置領域9にゲートアレイ方式の基本セル7を配置する。スタンダードセル6と基本セル7とは同一の位置に、同一の幅の高電位側及び低電位側電源配線を持つようにする。またスタンダードセル列8の内部に配線を通すためのフィードスルーセルを設けた場合には、その領域にも基本セル7を配置しておく。試作後の変更、修正には、基本セル7に配線を施すことにより対応する。
請求項(抜粋):
それぞれ特定の論理機能を有するスタンダードセルが複数個並べられたスタンダードセル列が、配線領域を介して複数本配置されている半導体集積回路において、1または複数のスタンダードセル列においては、スタンダードセル間および/またはスタンダードセル列の端部に、配線を施すことにより特定の論理機能を実現できる基本セルが配置されていることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (3件):
H01L 21/82 ,  H01L 27/118 ,  H01L 27/04
FI (3件):
H01L 21/82 B ,  H01L 21/82 S ,  H01L 21/82 M

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