特許
J-GLOBAL ID：200903073517203796
プラズマCVD法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-327370
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160045
出願日： 1991年12月11日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】【目的】 プラズマCVD法及び装置において、成膜反応に寄与するラジカル種の生成を妨げず、しかもダスト発生の原因となるラジカル種の発生を選択的に抑制して、ダストの基板上成膜部への付着、混入を抑制し、成膜速度を向上させる。【構成】 原料ガスをプラズマ化し、このプラズマに基板を曝して該基板上に薄膜を形成するプラズマCVD法及び装置において、前記原料ガスのプラズマ化を、1KHz以下の第1のパルス変調及び該変調より短い周期をもつ第2のパルス変調を重畳するとともに該パルス変調を行う高周波波形に対し高調波を重畳した高周波電力の印加により行うことを特徴とするプラズマCVD法及び装置。
請求項（抜粋）：
原料ガスをプラズマ化し、このプラズマに基板を曝して該基板上に薄膜を形成するプラズマCVD法において、前記原料ガスのプラズマ化を、1KHz以下の第1のパルス変調及び該変調より短い周期をもつ第2のパルス変調を重畳するとともに前記パルス変調を行う高周波波形に対し高調波を重畳した高周波電力の印加により行うことを特徴とするプラズマCVD法。
IPC (2件)：
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