特許
J-GLOBAL ID：200903073527014258
半導体装置の実装方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川瀬 幹夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-175651
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021524
出願日： 1991年07月17日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：
【要約】【目的】 バンプ接合温度を下げて、安価な樹脂基板の使用を可能にする。【構成】 半導体装置実装用基板1の半導体装置2の電極に対向する位置に、突起状接続電極であるバンプ電極3を設け、そのバンプ電極である金属バンプ3の先端には、導電性樹脂4を塗布するために凹状部3aを形成して凹状部3aに導電性樹脂4を塗布し、これを半導体装置2の電極であるパッドとを合わせて、半導体装置2を常温、低加圧下でフェースダウンボンディングし、その状態で、半導体装置2と半導体装置実装用基板1の間に、側方からエアーを吹き付けて突起状接続電極と半導体装置の電極の間からはみだした余分な導電性樹脂を吹き飛ばして除去した後、200°C前後に加熱し、半導体装置2の上方から高加圧することにより、導電性樹脂4を完全に硬化させて半導体装置2とバンプ電極である金属バンプ3とを導電性樹脂4を介して接続した。
請求項（抜粋）：
半導体装置を、半導体装置実装用基板の導体上に形成された突起状接続電極を介して半導体装置実装用基板に実装する半導体装置の実装方法において、前記突起状接続電極の上端を凹状に形成し、該凹状部に導電性樹脂を塗布すると共に、前記突起状接続電極の上方から半導体装置を、常温、低加圧下でフェースダウンボンディングし、その状態で前記半導体装置と半導体装置実装用基板の間に側方からエアーを吹き付けて前記突起状接続電極からはみだした余分な導電性樹脂を吹き飛ばした後、加熱及び加圧することにより前記導電性樹脂を硬化させて半導体装置と前記突起状接続電極とを接続したことを特徴とする半導体装置の実装方法。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/321
