特許
J-GLOBAL ID：200903073528908236
半導体装置とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-029494
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291265
出願日： 1993年02月18日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：
【要約】【目的】 電気絶縁性物質上にある半導体単結晶シリコン内に、少なくとも相補型MOSトランジスタ集積回路が形成されている半導体装置において、低消費電力の集積回路を提供することを目的とする。【構成】 N型MOSトランジスタが形成されている領域の単結晶シリコンの厚みtS1を、P型MOSトランジスタが形成されている領域の厚みtS2より厚くする。
請求項（抜粋）：
電気絶縁性物質上にある半導体単結晶シリコン内に少なくとも相補型金属絶縁膜半導体トランジスタ集積回路が形成されている半導体装置において、N型MISトランジスタが形成されている領域のシリコンの厚みとP型MISトランジスタが形成されている領域のシリコンの厚みが異なることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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