特許
J-GLOBAL ID：200903073531557851
応力・歪検出装置用超磁歪皮膜形成方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
中川 邦雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-350722
公開番号（公開出願番号）：特開平6-174568
出願日： 1992年12月04日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、大気中での溶射方法により、磁歪効果を有する応力・歪検出装置用超磁歪皮膜を形成する方法及び応力・歪検出装置用超磁歪皮膜を形成する装置の改良に関する発明である。【構成】 本発明は、大気中で不活性ガス雰囲気に保持しつつ、超磁歪材料を基材に溶射する工程と溶射工程と、その後熱処理をする熱処理工程とからなることを特徴とする応力・歪検出装置用超磁歪皮膜形成方法、RE・Fexの組成(REはLa,Yを含む希土類元素で、少なくても1種以上の元素から成り、x=1.5〜2.0)をもつ、厚さ0.01mm〜3mmの溶射膜を形成させる応力・歪検出装置用超磁歪皮膜形成方法及びロボット制御盤及びワーク回転制御盤を備え基材を移動させるロボットと制御盤とガス入力カセットを備えたガス混合機とトーチを備えたシールドと粉体供給装置制御盤を備えた粉体供給装置と送水式貯水槽及び冷却水監視装置を備えた冷却水量監視装置とからなることを特徴とする応力・歪検出装置用超磁歪皮膜形成装置の構成とした。
請求項（抜粋）：
大気中で、不活性ガス雰囲気に保持しつつ、超磁歪材料を基材に溶射する工程と溶射工程と、その後熱処理をする熱処理工程とからなることを特徴とする応力・歪検出装置用超磁歪皮膜形成方法。
IPC (5件)：
G01L 3/10
, C23C 4/04
, G01L 1/12
, G01L 9/16
, H01L 41/12
